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dielectric breakdown model

D 开头单词

英汉例句

    双语例句

  • A physical model of dielectric breakdown was presented in IC silicon dioxide films.
    提出了芯片门电路硅氧化层静电放电介质击穿的物理模型。
  • The breakdown and quench model has been proposed theoretically considering the wall charges accumulated on the dielectric layers.
    考虑到电介质表面积累的壁电荷的作用,理论上提出了击穿—熄火方程。
  • On the basis of the physical model of ESD dielectric oxide breakdown of IC devices, this paper discusses the mechanism of ESD oxide breakdown when a first order voltage is applied across and oxide.
    在集成电路绝缘氧化层ESD介质击穿物理模型的基础上,讨论了绝缘氧化层加上一次线性电场条件下发生介质击穿的机理。
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